En julio de 2017, la empresa inició la investigación y el desarrollo del Célula de panel solar TOPCon de doble cara tipo N . La superficie frontal de la celda del panel solar utiliza un emisor de boro difuso y la superficie posterior es una estructura de contacto de pasivación de SiOx/n+ poly. El poli-Si intrínseco se deposita mediante LPCVD y luego se utiliza la implantación de iones para el dopaje. Tanto la superficie frontal como la superficie posterior son electrodos de rejilla tipo H, que pueden generar electricidad en ambos lados. Esta ruta técnica se llama J-TOPCon 1.0.

En 2019, la compañía tomó la delantera en la realización de la producción en masa de 1,5 GW de celdas TOPCon de doble cara tipo N, y la eficiencia de conversión promedio de la producción en masa alcanzó el 22,5 %. En junio del mismo año se inició el desarrollo de una nueva tecnología TOPCon basada en oxidación de plasma y dopaje in situ asistido por plasma (POPAID). El uso de una plataforma de cadena para transmitir la placa portadora puede completar simultáneamente el túnel de la capa de óxido y el amorfo dopado sin romper el vacío. La deposición de silicio, para lograr un verdadero recubrimiento sin bobinado, redujo los 12 procesos de fabricación en TOPCon 1.0 a 9 procesos y la ruta técnica e se actualizó sin problemas a J-TOPCon 2.0.

En 2020, la tecnología J-TOPCon 2.0 madurará, lo que promoverá la mejora adicional de Célula de panel solar TOPCon tipo N eficiencia, logrando la mayor eficiencia de conversión del 24,5% y la eficiencia de conversión por lotes.

En 2021, con base en la tecnología J-TOPCon 2.0, comenzó a construir 182 líneas de celdas de paneles solares TOPCon de doble cara tipo N de gran tamaño y logró una eficiencia de I+D del 25,4 %. Fue certificado por el Instituto de Metrología de China (NIM) de terceros y rompió el récord de Panel solar TOPCon eficiencia celular en ese momento.